一、检测核心价值

半导体硅纯度需达 9N 至 11N 级，铁、钛等杂质会降低器件击穿电压，导致 50% 以上产量损失。精准检测是制程管控的关键。

二、关键检测项目

1. 晶圆衬底杂质检测

测定硅、碳化硅等衬底中的铁、铝、钙等元素，采用 ICP-MS 法，检出限需＜0.1ppt，符合 SEMI E 级规格要求。

2. 制程化学品检测

监控光刻胶、溶剂中的钠、钾等碱性元素，用冷等离子体 ICP-MS 技术，避免离子迁移影响电路性能。

3. 表面污染检测

通过气相分解（VPD）结合 ICP-MS，测定晶圆氧化层中 1μm 级的金属污染物，如铁、钛的表面分布。

4. 纳米颗粒监测

除元素含量外，需检测不溶性纳米颗粒，防止其堵塞器件线路，常用 ICP-MS/MS 联用法筛查。

三、技术实施要点

样品需经超纯酸消解，用 8900 ICP-MS/MS 系统，通过 MS/MS 模式消除干扰，加标回收率需达 95%~105%，确保数据准确。

四、总结

半导体痕量检测对技术要求严苛。第三方检测机构依托高端设备与 SEMI 标准，为芯片企业提供全流程检测，支撑制程优化。

温馨提示：以上内容仅供参考，更多检测相关信息请咨询官方客服。