MOS随机存储器检测检验哪些项目？检测标准是什么？我们严格按照标准进行检测和评估，确保检测结果的准确性和可靠性。同时，我们还根据客户的需求，提供个性化的检测方案和报告，帮助厂家更好地了解产品质量和性能。

检测项目（参考）：

功能测试（全“1”全“0”）、功能测试（棋盘格）、地址存取时间t_AA、片选存取时间t_AC、输入高电平电流I_IH、输入低电平电流I_IL、静态条件下的电源电流I_BB、静态条件下的电源电流I_DD、静态条件下的电源电流IBB、输入高电平电流IIH、输入低电平电流IIL、输入负载电流I_LI、静态条件下的电源电流I_SB、片选存取时间tAC、静态条件下的电源电流IDD、地址存取时间tAA、输入低电平电压VIL、输出高阻态电流IOZL、动态条件下的总电源电流ICC、输入负载电流I、动态条件下的总电源电流I、地址存取时间t、片选存取时间t、全“1”全“0”、写周期时间t_WC、地址取数时间t_AA、工作状态时电源电流I_CC、校验板、片选取数时间t_AC、维持状态时电源电流I_CCS、读周期时间t_RC、输入负载电流I_L1、功能测试全0全1、功能测试列条、功能测试对角线、功能测试棋盘格、功能测试步进(0、1）、功能测试行条、输入低电平电流、输入高电平电流、输出低电平电压、输出高电平电压、输出高阻态电流、部分参数、静态条件下的电源电流、功能测试、工作状态时V_CC电源电流 I_CC、工作状态时V_DD电源电流 I_DD、维持状态时V_CC电源电流 I_CCS、维持状态时V_DD电源电流 I_DDS、输入负载电流 I_LI、输出低电平电压 V_OL、输出高电平电压 V_OH、输出高阻态时低电平电流 I_OZL、输出高阻态时高电平电流 I_OZH、输入低电平电流I_IL、输入高电平电流I_IH、输出低电平电压V_OL、输出高电平电压V_OH、输出高阻态时低电平电流I_OZL、输出高阻态时高电平电流I_OZH、静态条件下的电源电流I_DD、存储器特定时间、工作状态时电源电流、延迟时间、建立时间、保持时间、维持状态时电源电流、工作状态时 V_CC电源电流 I_CC、工作状态时 V_DD电源电流 I_DD、维持状态时 V_CC电源电流 I_CCS、维持状态时 V_DD电源电流 I_DDS、输入低电平电流 I_IL、输入高电平电流 I_IH、输出低电平电压 V_OL、输出高阻态时高电平电流 I_OZH、输出高阻态电流 I_OZ、动态条件下的总电源电流、输入低电平电流I_IL、输入高电平电流I_IH、输出低电平电压V_OL、输出高电平电压V_OH、输出高阻态电流I_OZ、静态工作电源电流、输出高阻态时高电平电流I_OZH、输出低阻态时低电平电流I_OZL、输出高电平电压 VOH、输出低电平电压 VOL、输入负载电流 ILI、输出高阻态时高电平电流 IOZH、输出高阻态时低电平电流 IOZL、工作状态时 VDD 电源电流 IDD、工作状态时 VCC电源电流 ICC、维持状态时 VDD 电源电流 IDDS、维持状态时 VCC 电源电流 ICCS、输入高阻态电流 IOZ、全“0”全“1”功能测试

检测标准一览：

1、SJ/T 10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996

2、GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998

3、SJ/T10739-96 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 第4.1条

4、GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 GB/T17574-1998

5、SJ/T10739-1996 《半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理》 4

6、GB/T 17574－1998 半导体集成电路 第 2 部分 数字集成电路 GB/T 17574－1998

7、GB/T 17574－1998 半导体集成电路 第 2 部分 数字集成电路 3.6.2.1

8、SJ/T 10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 4.1、4.2

9、GB/T17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 IV.3.6

如果您对产品品质和安全性能有严格要求，不妨考虑选择我们的检测服务。让我们助您一臂之力，共创美好未来。

检测报告用途

商超入驻、电商上架、内部品控、招投标、高校科研等。

检测报告有效期

一般检测报告上会标注实验室收到样品的时间、出具报告的时间。检测报告上不会标注有效期。如果是用于过电商平台，一般他们只认可一年内的。所以还要看平台或买家的要求。

温馨提示：以上内容仅供参考，更多检测相关信息请咨询官方客服。