标准号：GB/T 26068-2018

标准名称：硅片和硅锭载流子复合寿命的检测　非接触微波反射光电导衰减法

标准简介：本标准规定了单晶和铸造多晶的硅片及硅锭的载流子复合寿命的非接触微波反射光电导衰减检测方法。本标准适用于硅锭和经过抛光处理的n型或p型硅片(当硅片厚度大于1 mm时，通常称为硅块)载流子复合寿命的检测。在电导率检测系统灵敏度足够的条件下，本标准也可用于检测切割或经过研磨、腐蚀的硅片的载流子复合寿命。通常，被测样品的室温电阻率下限在0.05 Ω·cm~10 Ω·cm之间，由检测系统灵敏度的*限确定。载流子复合寿命的检测范围为大于0.1 μs，可测的短寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，长可测值取决于样品的几何条件及其表面的钝化程度。

英文名称：Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers and silicon ingots—Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method

标准状态：现行

发布日期：2018-12-28

实施日期：2019-11-01

出版语种：中文简体

标准ICS号：77.040

中标分类号：H21

提出部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)

发布部门：国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

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