标准编号：GB/T 1553-2009硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

标准状态：现行

标准简介：本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。

英文名称： Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay

替代情况： 替代GB/T 1553-1997

中标分类： 冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

ICS分类： 电气工程>>29.045半导体材料

发布部门： 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会

发布日期： 2009-10-30

实施日期： 2010-06-01

首发日期： 1979-05-26

提出单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

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