标准编号：GB/T 11072-2009锑化铟多晶、单晶及切割片

标准状态：现行

标准简介：本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。

英文名称： Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices

替代情况： 替代GB/T 11072-1989

中标分类： 冶金>>半金属与半导体材料>>H83化合物半导体材料

ICS分类： 电气工程>>29.045半导体材料

发布部门： 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会

发布日期： 2009-10-30

实施日期： 2010-06-01

首发日期： 1989-03-31

提出单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

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