SJ 20176-1992《半导体分立器件 ３ＤＧ３４３９型和３ＤＧ３４４０型ＮＰＮ硅小功率高反压晶体管详细规范》基本信息

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SJ 20176-1992《半导体分立器件 ３ＤＧ３４３９型和３ＤＧ３４４０型ＮＰＮ硅小功率高反压晶体管详细规范》介绍

中国电子工业总公司于1992年发布了《半导体分立器件 3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范》（以下简称"SJ 20176-1992标准"），并于1993年5月1日起正式实施。

一、技术要求

1、外观质量

晶体管的外观应无裂纹、无明显变形，表面应清洁、无油污、无锈蚀，引脚应无折断、无弯曲。

2、电性能参数

晶体管的电性能参数应满足标准规定的要求，包括集电极-发射极击穿电压、集电极电流、电流放大系数等。

3、温度特性

晶体管在规定的温度范围内应具有良好的温度特性，包括温度系数、温度稳定性等。

4、可靠性

晶体管应具有良好的可靠性，包括长时间工作稳定性、抗静电能力等。

二、试验方法

1、外观检查

对晶体管的外观进行目视检查，以确保其满足外观质量要求。

2、电性能测试

对晶体管的电性能参数进行测试，以评估其性能是否符合标准要求。

3、温度特性测试

对晶体管在不同温度下的性能进行测试，以评估其温度特性。

4、可靠性测试

对晶体管进行长时间工作、抗静电等可靠性测试，以评估其可靠性。

三、检验规则

1、检验分类

晶体管的检验分为型式检验和出厂检验。

2、抽样规则

对晶体管进行抽样检验，以评估其整体质量。

3、合格判定

根据检验结果，对晶体管进行合格判定。

四、标志、包装、运输和储存

1、标志

晶体管应有清晰的型号、规格、生产日期等标志。

2、包装

晶体管的包装应符合标准要求，以保护晶体管在运输过程中不受损坏。

3、运输

晶体管在运输过程中应避免剧烈震动、高温等不利因素。

4、储存

晶体管应储存在干燥、通风、无腐蚀性气体的环境中。

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