标准简介：本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm 的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm 的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。

标准号：GB/T 14144-2009

标准名称：硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

英文名称：Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29.045半导体材料

替代以下标准：替代GB/T 14144-1993

起草单位：峨嵋半导体材料厂

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布单位：国家质量监督检验检疫.

温馨提示：以上内容仅供参考，更多检测相关信息请咨询官方客服。