标准简介：本标准规定了4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片的微管密度的无损检测方法。 本标准适用于4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸在一微米至几十微米范围内的微管密度的测量。

标准号：GB/T 31351-2014

标准名称：碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法

英文名称：Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2014-12-31

实施日期：2015-09-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H26金属无损检验方法

国际标准分类号（ICS）：冶金>>金属材料试验>>77.040.99金属材料的其他试验方法

起草单位：北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全

发布单位：国家质量监督检验检疫.

温馨提示：以上内容仅供参考，更多检测相关信息请咨询官方客服。