标准简介：本标准规定了以三氯氢硅和四氯化硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯化硅为原料,以细硅芯为发热体,在还原炉内用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。

标准号：GB/T 4061-2009

标准名称：硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

英文名称：Polycrystalline silicon-examination method-assessment of sandwiches on cross-section by chemical corrosion

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29.045半导体材料

替代以下标准：替代GB/T 4061-1983

起草单位：洛阳中硅高科技有限公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布单位：国家质量监督检验检疫.

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