标准简介：本标准规定了多晶硅中基硼含量的测试方法。 本标准适用于在硅芯上沉积生长的多晶硅棒中基硼含量的测定，测定范围：0.01×1013atoms/cm3～5×1015atoms/cm3。

标准号：GB/T 4060-2018

标准名称：硅多晶真空区熔基硼检验方法

英文名称：Test method for boron content in polycrystalline silicon by vacuum zone-melting method

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2018-09-17

实施日期：2019-06-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法

国际标准分类号（ICS）：冶金>>77.040金属材料试验

替代以下标准：替代GB/T 4060-2007

起草单位：江苏中能硅业科技发展有限公司、亚洲硅业(青海)有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、峨嵋半导体材料研究所

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全

发布单位：国家市场监督管理总局.

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