四电极电导和二电极电导检测报告如何办理？检测项目及标准有哪些？百检第三方检测机构，严格按照四电极电导和二电极电导检测相关标准进行测试和评估。做检测，找百检。我们只做真实检测。

涉及四电极电导和二电极电导的标准有479条。

国际标准分类中，四电极电导和二电极电导涉及到分析化学、电子管、半导体分立器件、核能工程、光电子学、激光设备、电子电信设备用机电元件、环境保护、小型船、家用电气设备综合、电工器件、橡胶、医疗设备、建筑物的防护、航空航天用电气设备和系统、整流器、转换器、稳压电源、电线和电缆、金属的腐蚀、集成电路、微电子学、电气工程综合、光纤通信、表面处理和镀涂、电磁兼容性(EMC)、造船和海上构筑物综合、电子元器件组件、复合增强材料、输电网和配电网、印制电路和印制电路板、涂料和清漆、旋转电机、文娱活动设备、化工产品、绝缘、环境试验、电工和电子试验、道路车辆装置、焊接、钎焊和低温焊、电学、磁学、电和磁的测量、无线通信。

在中国标准分类中，四电极电导和二电极电导涉及到电化学、热化学、光学式分析仪器、微波管、半导体光敏器件、、光电子器件综合、半导体二极管、连接器、环境保护设备、半导体发光器件、小型船总体、家用电器基础标准与通用方法、橡胶制品综合、电子元器件、半导体整流器件、医用和食品工业用橡胶制品、电缆及其附件、一般与显微外科器械、医用电子仪器设备、电力半导体器件、部件、电真空器件综合、低压配电电器、避雷器、紧固件、微波、毫米波二、三极管、电力综合、半导体分立器件综合、电站设备自动化装置、金属化学性能试验方法、半导体集成电路、电磁兼容、电子元件综合、电力试验技术、涂料、同步电机、开关、通用零部件、线路器材、半导体三极管、电力系统、炭素材料、冶炼设备、基础标准和通用方法、电子测量与仪器综合、广播、电视发送与接收设备、微型电机、化学试剂综合、光通信设备。

国家质检总局，关于四电极电导和二电极电导的标准

GB/T 26800-2011电导电极

GB/T 18864-2002硫化橡胶工业用抗静电和导电产品电阻极限范围

GB/T 6589-2002半导体器件分立器件第3-2部分;信号(包括开关)和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范

GB/T 15651.6-2023半导体器件 第5-6部分：光电子器件发光二极管

GB/T 4023-2015半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管

GB/T 4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分;整流二极管

GB/T 36359-2018半导体光电子器件小功率发光二极管空白详细规范

GB/T 36360-2018半导体光电子器件中功率发光二极管空白详细规范

GB/T 24196-2009金属和合金的腐蚀.电化学试验方法.恒电位和动电位极化测量导则

GB/T 13063-1991电流调整和电流基准二极管空白详细规范

GB/T 4587-1994半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管

GB/T 26295-2010铝电解用炭素材料.预焙阳极和阴极炭块.四点法测定抗折强度

GB/T 18904.3-2002半导体器件第12-3部分;光电子器件显示用发光二极管空白详细规范

GB/T 14119-1993半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器空白详细规范

GB/T 18904.5-2003半导体器件第12-5部分;光电子器件纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的pin光电二极管空白详细规范

CZ-CSN，关于四电极电导和二电极电导的标准

CSN 35 8736-1964半导体二极管．极间电容的测量

CSN 35 8735-1964半导体二极管．直流电流和电压的测量

CSN 35 8732-1964半导体二极管．正向电流测量

CSN 35 8761-1973半导体设备．光电晶体管光电二极管．光电流测量

CSN 35 8762-1973半导体设备．光电晶体管光电二极管．暗电流测量

CSN 35 8734-1975半导体器件．二极管．反向电流测量．

CSN 35 8733-1975半导体设备．二极管．反向电压的测量 （工作电压）

CSN 35 8767-1982半导体二极管．电气参数的测量方法

CSN 35 8737-1975半导体设备．二极管．微分电阻的测量

CSN 35 8760-1973半导体．稳压二极管．电压温度系数测量

CSN 35 8769-1983半导体齐纳二极管．电气参数测量方法

CSN 35 8768-1983半导体开关二极管．电气参数测量方法

CSN 35 8766-1976半导体器件．开关二极管．正向电压的测量

CSN 35 8731-1975半导体设备．二极管．直流正向电压的测量

CSN 35 8763-1973半导体设备．二极管．反向击穿电压的测量

CSN 35 8771-1970半导体闸流管．栅极触发电压和栅极触发电流的测量方法

CSN 35 8785-1975半导体设备．变容二极管．热电容系数的测量

CSN 35 8765-1976半导体设备．开关二极管．反向恢复电荷的测量

CSN 35 8797 Cast.2 IEC 747-2:1990半导体设备．分立器件和集成电路．第2部分：整流二极管

CSN 35 8781-1983混合和检测半导体超高频二极管．电气参数的测量方法

CSN 35 8752-1976半导体设备．晶体管．共基极输出电容的测量方法

行业标准-电子，关于四电极电导和二电极电导的标准

SJ 1388-1978噪声二极管阳极电导的测试方法

SJ/T 2214-2015半导体光电二极管和光电晶体管测试方法

SJ 50033/112-1996半导体光电子器件.GD3251Y型光电二极管详细规范

SJ 50033/113-1996半导体光电子器件.GD3252Y型光电二极管详细规范

SJ 20644.1-2001半导体光电子器件GD3550Y型PIN光电二极管详细规范

SJ 20644.2-2001半导体光电子器件GD101型PIN光电二极管详细规范

SJ 2214.3-1982半导体光敏二极管暗电流的测试方法

SJ 2214.5-1982半导体光敏二极管结电容的测试方法

SJ 2214.6-1982半导体光敏三极管集电极.发射极反向击穿电压的测试方法

SJ 2214.10-1982半导体光敏二、三极管光电流的测试方法

SJ 50033/109-1996半导体光电子器件.GJ9031T、GJ9032T和GJ9034T型半导体激光二极管.详细规范

SJ 2215.6-1982半导体光耦合器（二极管）结电容的测试方法

SJ 2215.7-1982半导体光耦合器集电极-发射极反向击穿电压的测试方法

SJ 2215.3-1982半导体光耦合器（二极管）正向电流的测试方法

SJ 2214.4-1982半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法

SJ 2215.4-1982半导体光耦合器（二极管）反向电流的测试方法

SJ/T 2658.3-2015半导体红外发射二极管测量方法.第3部分:反向电压和反向电流

SJ/Z 9010.12-1987电子管电性能的测试 第12部分：电极电阻、跨导、放大系数、变频电阻和变频跨导的测试方法

SJ/T 2658.4-2015半导体红外发射二极管测量方法 第4部分:总电容

SJ 50033/22-1994半导体分立器件.2CC51E型硅电调变容二极管详细规范

SJ 50033/110-1996半导体光电子器件GR9413型红外发射二极管详细规范

SJ 50033/136-1997半导体光电子器件.GF116型红色发光二极管详细规范

SJ 2215.5-1982半导体光耦合器（二极管）反向击穿电压的测试方法

SJ 50033/143-1999半导体光电子器件.GF1120型红色发光二极管详细规范

SJ 53930/1-2002半导体光电子器件.GR8813型红外发射二极管详细规范

SJ 50033/137-1997半导体光电子器件.GF216型橙色发光二极管详细规范

SJ 50033/139-1998半导体光电子器件.GF4111型绿色发光二极管详细规范

SJ 50033/138-1998半导体光电子器件.GF318型黄色发光二极管详细规范

SJ 50033/58-1995半导体光电子器件GF413型绿色发光二极管详细规范

SJ 2658.4-1986半导体红外发光二极管测试方法.电容的测试方法

SJ/T 11393-2009半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范

SJ 20188-1992半导体分立器件2CW3016～3051型电压调整二极管详细规范

SJ 50033/142-1999半导体光电子器件.GF4112型绿色发光二极管详细规范

SJ 50033/57-1995半导体光电子器件 GF115型红色发光二极管详细规范

SJ/T 2658.2-2015半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压

SJ/T 2658.5-2015半导体红外发射二极管测量方法 第5部分:串联电阻

SJ/T 10947-1996电子元器件详细规范 FG341052、FG343053型半导体绿色发光二极管

SJ 50033/25-1994半导体分立器件2CW1001～2CW1005型硅电压调整二极管详细规范

SJ 50033/150-2002半导体分立器件.2DW230～236型硅电压基准二极管.详细规范

SJ 20185-1992半导体分立器件2DW232～236型硅电压基准二极管详细规范

SJ 50033/161-2002半导体分立器件.2CW210～251型硅电压调整二极管.详细规范

SJ 20186-1992半导体分立器件2CW2970～3015型硅电压调整二极管详细规范

SJ 50033/117-1997半导体分立器件 2CK38型硅大电流开关二极管详细规范

SJ 50033/26-1994半导体分立器件.2CW1006～2CW1015型硅电压调整二极管详细规范

SJ 2658.3-1986半导体红外发光二极管测试方法.反向电压测试方法

SJ/T 11400-2009半导体光电子器件小功率发光二极管空白详细规范

SJ 50033/115-1997半导体分立器件 2CK28型硅大电流开关二极管详细规范

SJ 50033/116-1997半导体分立器件 2CK29型硅大电流开关二极管详细规范

SJ 50033/162-2003半导体分立器件2CW1022型硅双向电压调整二极管详细规范

SJ 50033/99-1995半导体光电子器件.GF511型橙/绿双色发光二极管详细规范

SJ 50033/133-1997半导体分立器件.SY5629～5665A型瞬态电压抑制二极管详细规范

SJ 20642.7-2000半导体光电器件GR1325J型长波长发光二极管组件详细规范

SJ/T 11817-2022半导体光电子器件 灯丝灯用发光二极管空白详细规范

SJ 2214.8-1982半导体光敏三极管暗电流的测试方法

SJ/T 2658.16-2016半导体红外发射二极管测量方法 第16部分:光电转换效率

SJ/T 10948-1996电子元器件详细规范 FG313052、FG314053、FG313054、FG314055型半导体红色发光二极管

SJ/T 11866-2022半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范

SJ 20068-1992半导体分立器件.2DW14～18型低噪声硅电压基准二极管详细规范

SJ 50033/151-2002半导体分立器件.2DW14～18型低噪声硅电压基准二极管.详细规范

SJ 2658.5-1986半导体红外发光二极管测试方法.正向串联电阻的测试方法

SJ 1387-1978噪声二极管灯丝电流和灯丝电压的测试方法

SJ 50033/144-1999半导体分立器件.2CW50～78型玻璃钝化封装硅电压调整二极管详细规范

SJ 50033/149-2000半导体分立器件.2CW100～121型玻璃钝化封装硅电压调整二极管详细规范

SJ 2215.9-1982半导体光耦合器（三极管）反向截止电流的测试方法

SJ 1386-1978噪声二极管和气体放电噪声管测试条件

SJ 1385-1978噪声二极管和气体放电噪声管.总技术条件

SJ/T 10740-1996半导体集成电路 双极型随机存储器测试方法的基本原理

RO-ASRO，关于四电极电导和二电极电导的标准

STAS 12123/3-1983半导体设备电压参考二极管和电压调节二极管电气特性的测量方法

STAS 12258/2-1984光电半导体装置．光电二极管术语和基本特性

STAS 7128/7-1986半导体设备和集成电路参数符号．变容二极管和混频二极管符号

STAS 12123/4-1984半导体设备可变电容二极管电气特性的测量方法

STAS 12258/4-1986光电半导体设备．发光二极管术语和主要特性

STAS 7128/4-1971半导体设备和集成电路．隧道二极管的文字符号

STAS 12123/1-1982半导体装置整流器二极管测量电和热特性的方法

STAS 12258/6-1987光电半导体器件．红外发射二极管术语和基本特性

STAS 7128/5-1985半导体设备和集成电路参数符号．整流二极管符号

STAS 7128/12-1985半导体设备和集成电路参数符号．低电压基准源和稳压二极管符号

STAS 12123/2-1983半导体设备小功率信号二极管，包括开关二极管的电气特性的测量方法

STAS 7128/3-1985文字符号．半导体设备和集成电路参数符号．低功率信号二极管符号

STAS 7128/2-1986半导体设备和集成电路参数符号．双极型晶体管符号

STAS 12124/1-1982半导体设备．双极晶体管．测量电气静态参数的方法

美国国防后勤局，关于四电极电导和二电极电导的标准

DLA MIL-S-19500/230 C VALID NOTICE 4-2011半导体器件，二极管，硅，高电导型 JAN 1N3207

DLA DSCC-DWG-94029 REV C-2001双向瞬间抑制二极管组半导电器件

DLA DSCC-DWG-94030 REV B-2001无定流向瞬间抑制二极管组半导电器件

DLA MIL-PRF-19500/656 A-2008半导体器件、二极管、硅、肖特基二极管、电源整流器、共阴极或共阳极中心抽头，类型 1N6785 和 1N6785R，JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS

DLA MIL-PRF-19500/507 F-2011半导体器件，二极管，硅，双极瞬态电压抑制器，类型 1N6036A 至 1N6072A JAN、JANTX 和 JANTXV

DLA MIL-PRF-19500/199 D VALID NOTICE 1-2011半导体器件，二极管，硅，正向电压稳压器，1N816 型，JAN

DLA MIL-PRF-19500/718 VALID NOTICE 1-2008半导体器件、二极管、硅、双极瞬态电压抑制器，类型 1N6950 至 1N6986、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS

DLA MIL-PRF-19500/718 VALID NOTICE 2-2013半导体器件、二极管、硅、双极瞬态电压抑制器，类型 1N6950 至 1N6986、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS

DLA MIL-PRF-19500/259 A NOTICE 2-1999电力整流器用JAN-1N1130和JAN-1N1131型硅制二极管半导体装置

DLA MIL-S-19500/329 C VALID NOTICE 4-2011半导体器件、二极管硅、电压可变电容器类型 1N4801A 至 1N4815A 和 1N4801B 至 1N4815B JAN、JANTX 和 JANTXV

DLA MIL-PRF-19500/436 A VALID NOTICE 2-2011半导体器件、二极管、硅、电压可变电容器类型 1N5461B 至 1N5476B 和 1N5461C 至 1N5476C JAN、JANTX 和 JANTXV

DLA MIL-PRF-19500/500 E (1)-2013半导体器件、二极管、硅、单极瞬态电压抑制器、类型 1N5555 至 1N5558、1N5907、1N5629A 至 1N5665A、JAN、JANTX 和 JANTXV

DLA DSCC-DWG-03021-2003TX和TXV型1N5597,1N56001,N5603,高电压整流模块,整流硅二极管半导体器件

DLA MIL-PRF-19500/205 B NOTICE 1-1999JAN,JANTX和JANTXV 1N3287型正向电压基准低水平锗二极管半导体装置

DLA MIL-PRF-19500/286 H-2008半导体装置,硅二极管电源整流器,型号1N4245到1N4249,JAN,JANTX,JANTXV,和JANHC

DLA MIL-PRF-19500/359 H-20081N4942,1N4944,1N4946,1N4947和1N4948,JAN,JANTX和JANTXV电源整流器快速回复硅二极管半导体装置

DLA MIL-S-19500/484 VALID NOTICE 4-2011半导体器件、二极管、硅、电源整流器、通用 TX 和非 TX 类型 1N5835 和 1N5836

DLA MIL-PRF-19500/434 E-2011半导体器件、二极管、硅、瞬态电压抑制器、1N5610 至 1N5613 型、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS

DLA MIL-PRF-19500/434 E (2)-2013半导体器件、二极管、硅、瞬态电压抑制器、1N5610 至 1N5613 型、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS

DLA SMD-5962-96815 REV A-2000双极互补金属氧化物半导体,四重2输入排外与门硅单片电路数字微电路

DLA SMD-5962-90538 REV D-2003硅单片,四重肖脱基二极管阵列,线性微型电路

DLA MIL-PRF-19500/646 E VALID NOTICE 1-2013半导体器件、二极管、硅、电源整流器、超快、类型 1N6774 至 1N6777、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS

DLA A-A-55168 D-2012保险丝座，块状，H 类，30 安培，250 伏交流电，一极、二极和三极

DLA A-A-55426 D-2012保险丝座，块状，H 类，60 安培，600 伏交流电，一极、二极和三极

DLA A-A-55427 D-2012保险丝座，块状，H 类，60 安培，250 伏交流电，一极、二极和三极

DLA A-A-55428 D-2012保险丝座，块状，H 类，30 安培，600 伏交流电，一极、二极和三极

DLA A-A-55429 D-2012保险丝座，块状，H 类，100 安培，600 伏交流电，一极、二极和三极

DLA MIL-PRF-19500/642 D VALID NOTICE 1-2012半导体器件、二极管、硅、电源整流器、双路、共阴极或阳极中心抽头、超快、1N6762 型至 1N6765 型和 1N6762R 型至 1N6765R 型 JANTX、JANTXV 和 JANS

DLA MIL-PRF-19500/359 J-2009半导体器件、二极管、硅、快速恢复、电源整流器、1N4942、1N4944、1N4946、1N4947 和 1N4948、JAN、JANTX 和 JANTXV

DLA MIL-S-19500/155 E VALID NOTICE 4-2011半导体器件、二极管、硅、电源整流器、通用类型 1N3189、1N3190、1N3191、TX 和非 TX 类型

DLA MIL-PRF-19500/627 B-2012半导体器件、二极管、硅、超快速恢复、电源整流器、1N6688、1N6689、1N6688US、1N6689US JANTX、JANTXV 和 JANS

DLA MIL-PRF-19500/644 A VALID NOTICE 2-2011半导体器件、二极管、硅、电源整流器、双路、共阴极或阳极中心抽头、超快、1N6768 型至 1N6771 型和 1N6768R 型至 1N6771R 型 JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS

DLA MIL-DTL-52286/2 C-2010电缆组件，电源，电气，2 导体，20 英尺长，椭圆形端接，带三个 2 极连接器

DLA MIL-DTL-52286/1 C-2010电缆组件，电源，电气，2 导体，100 英尺长，带 2 极连接器插头的椭圆形终端

DLA SMD-5962-87544 REV D-2013微电路，数字，双极同步四位二进制增减计数器，单片硅

DLA MIL-PRF-19500/628 B-2012半导体器件、二极管、硅、超快速恢复、电源整流器、1N6690 至 1N6693、1N6690US 至 1N6693US JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS

DLA SMD-5962-87565 REV D-2007硅单块 四列二输入或门,发射极耦合逻辑,数字微型电路

DLA MIL-PRF-19500/551 E-2011半导体器件、二极管、硅、瞬态电压抑制器类型 1N6461 至 1N6468、1N6461US 至 1N6468US 和 1N6461URS 至 1N6468URS、JAN、JANTX 和 JANTXV

DLA MIL-PRF-19500/551 F (1)-2013半导体器件、二极管、硅、瞬态电压抑制器类型 1N6461 至 1N6468、1N6461US 至 1N6468US 和 1N6461URS 至 1N6468URS、JAN、JANTX 和 JANTXV

DLA MIL-DTL-3976/1 B-2007发光二极管(LED),示宽灯-断电,14和28伏特

DLA MIL-PRF-19500/211 B VALID NOTICE 4-2008半导体器件、二极管、硅、电源整流器，类型 1N3164、1N3168、1N3170、1N3172、1N3174、1N3175、1N3176、1N3177 和 R 类型 JAN、JANTX、JANTXV

DLA MIL-PRF-19500/552 F-2011半导体器件、二极管、硅、瞬态电压抑制器，类型 1N6469 至 1N6476、1N6469US 至 1N6476US、1N6469URS 至 1N6476URS、JAN、JANTX 和 JANTXV

DLA SMD-5962-87557 REV E-2006硅单块 四列二输入或非门,发射极耦合逻辑,数字微型电路

DLA MIL-PRF-19500/429 L-2008半导体装置,快速回复电源整流器硅二极管,型号1N5615,1N5617,1N5619,1N5621,1N5623,1N5615US,1N5617US,1N5619US,1N5621US,1N5623US,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHC和JANKC

DLA MIL-PRF-19500/585 G-2008半导体装置,超快速回复硅二极管电源整流器,1N6620到1N6625,1N6620U到1N6625U,1N6620US到1N6625US,JAN,JANTX,JANTXV和JANS

DLA MIL-PRF-19500/590 H-2008半导体器件、二极管、硅、超快恢复、电源整流器、1N6626 至 1N6631、1N6626U 至 1N6631U、1N6626US 至 1N6631US、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS

DLA MIL-PRF-19500/590 J-2012半导体器件、二极管、硅、超快恢复、电源整流器、1N6626 至 1N6631、1N6626U 至 1N6631U、1N6626US 至 1N6631US、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS

DLA MIL-PRF-39016/24 F VALID NOTICE 1-2010继电器，电磁式，可靠性高，SPDT，低电平至 1.0 安培，带有用于线圈瞬变抑制和极性反转保护的内部二极管

DLA MIL-PRF-19500/308 C VALID NOTICE 2-2008半导体器件、二极管、硅、电源整流器、快速恢复类型 1N3909、1N3910、1N3911、1N3912、1N3913、R 和 A 版本 JAN、JANTX 和 JANTXV

DLA MIL-PRF-19500/585 F-2008半导体器件、二极管、硅、超快速恢复、电源整流器、1N6620 至 1N6625、1N6620U 至 1N6625U、1N6620US 至 1N6625US、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS

DLA MIL-PRF-19500/585 H-2009半导体器件、二极管、硅、超快速恢复、电源整流器、1N6620 至 1N6625、1N6620U 至 1N6625U、1N6620US 至 1N6625US、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS

DLA MIL-PRF-19500/585 J-2010半导体器件、二极管、硅、超快速恢复、电源整流器、1N6620 至 1N6625、1N6620U 至 1N6625U、1N6620US 至 1N6625US、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS

DLA MIL STD 750 4 E-2012测试方法 半导体器件标准二极管电气测试方法 第4部分：测试方法 4000 至 4999

DLA MIL-PRF-19500/594 A VALID NOTICE 2-2008半导体器件、二极管、硅、电源整流器、快速恢复、低泄漏、1N6664 至 1N6666 型和 1N6664R 至 1N6666R JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS 型

DLA MIL-PRF-39016/28 F VALID NOTICE 1-2010继电器，电磁式，可靠性高，SPDT，低电平至 0.5 安培（锁存），带有用于线圈瞬态抑制和极性反转保护的内部二极管

DLA SMD-5962-96768 REV A-2003双极的互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路

DLA MIL-PRF-19500/516 E-2009半导体器件，二极管硅，双极瞬态电压抑制器，类型 1N6102 至 1N6137、1N6102A 至 1N6137A、1N6138 至 1N6173、1N6138A 至 1N6173A，1 N6102US 至 1N6137US、1N6102AUS 至 1N6137AUS、1N6138US 至 1N61

DLA MIL-PRF-28776/6 E VALID NOTICE 1-2010继电器，混合型，可靠性高，双刀双掷，低电平至 1.0 安培内部 Mosfet 驱动器，带齐纳二极管栅极保护（机电输出）二极管线圈抑制和具有 0.100 网格引线间距的端子

DLA MIL-PRF-19500/420 L (1)-2010半导体器件、二极管、硅、电源、整流器、类型 1N5550 至 1N5554、1N5550US 至 1N5554US、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHCA、JANHCB、JANHCC、JANHCD、JANHCE、JANKCA、JANKCD , 和 JANKCE

DLA SMD-5962-77056-1977六位N沟道开路漏极缓冲器,氧化物半导体数字微型电路

DLA MIL-PRF-39016/20 J VALID NOTICE 1-2010继电器，电磁式，可靠性高，双刀双掷，低电平至 1.0 安培，带有用于线圈瞬态抑制和极性反转保护的内部二极管

DLA MIL-PRF-39016/26 F VALID NOTICE 1-2010继电器，电磁式，可靠的 SPDT，低电平至 1.0 安培（灵敏，40 毫瓦），带有用于线圈瞬变抑制和极性反转保护的内部二极管

DLA SMD-5962-87647 REV B-2006硅单块 四列2输入是非门,开路漏极输出,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-96618 REV B-1997抗辐射互补金属氧化物半导体双重互补加法变极器硅单片电路数字微电路

DLA MIL-PRF-19500/772 (1)-2013半导体器件，二极管硅，单极瞬态电压抑制器，类型 1N8036 至 1N8072、1N8073 至 1N8109、1N8110 至 1N8146、1N8036US 至 1N8072US、1N8 073US 至 1N8109US，以及 1N8110US 至 1N8146US，JAN，JANTX，JANTXV

DLA MIL-PRF-19500/411 M-2008半导体装置,快速回复电源整流器硅二极管,1N5415到1N5420,1N5415US到1N5420US,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANTXVM,JANTXVD,JANTXVR,JANTXVH,JANSM,JANSD,JANSR和JANSH

DLA MIL-PRF-39016/30 F VALID NOTICE 1-2010继电器，电磁式，可靠性高，双刀双掷，低电平至 1.0 安培（锁存），带有用于线圈瞬变抑制和极性反转保护的内部二极管

DLA SMD-5962-96753 REV A-1999双极的互补金属氧化物半导体,计时和等待状态发生器电路,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路

DLA MIL-PRF-19500/241 L-2008半导体器件，二极管，硅，低泄漏，受控正向电压，类型 1N3595-1、1N3595US、1N3595UR-1、1N3595A-1、1N3595AUS 和 1N3595AUR-1，JAN，JANTX，JANTXV，JANS， JANHC 和 JANKC

DLA SMD-5962-94671 REV A-2007数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT无线电收发自主式自动导航系统,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路

DLA SMD-5962-91627 REV A-2004硅单块 四列二输入是非驱动器,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-94698-1996数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT无线电收发和寄存器自主式自动导航系统,和转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路

DLA MIL-PRF-19500/716 VALID NOTICE 1-2010半导体器件、二极管、非密封、环氧树脂、表面贴装、硅、单极瞬态电压抑制器类型 1N5555UEG 至 1N5558UEG、1N5555UEJ 至 1N5558UEJ、1N5629AUEG 至 1N5665AUEG、1N5629AUEJ 至 1N5665AUEJ、1N5907UE G, 1N590

DLA SMD-5962-96616 REV A-1998抗辐射互补金属氧化物半导体旋转六角变极器或缓冲器硅单片电路数字微电路

DLA MIL-PRF-39016/38 C VALID NOTICE 1-2010继电器，电磁，可靠性高，双刀双掷，低电平至 2 安培（0.150 英寸端子间距），带有用于线圈瞬变抑制和反极性保护的内部二极管

DLA SMD-5962-87566 REV E-2002硅单块 四列二输入非倒转的多路调制器,发射极耦合逻辑,数字微型电路

DLA SMD-5962-91654 REV A-2006硅单块 四列二输入多路调制器或止动栓,发射极耦合逻辑,数字微型电路

RU-GOST R，关于四电极电导和二电极电导的标准

GOST 18986.10-1974半导体二极管.电感测量方法

GOST 18986.4-1973半导体二极管.电容的测定方法

GOST 18986.6-1973半导体二极管.恢复充电测定方法

GOST 18986.24-1983半导体二极管.击穿电压测量方法

GOST 18986.0-1974半导体二极管.电参数测定方法.总则

GOST 18986.1-1973半导体二极管.反向直流电流测定方法

GOST 18986.14-1985半导体二极管.微分与动态电阻测量方法

GOST 19656.0-1974超高频半导体二极管.电参数测量方法.总则

GOST 18986.3-1973半导体二极管.恒定直流电压与恒定直流电流测定方法

GOST 19656.15-1984超高频半导体二极管.转移体的热电阻和脉冲热电阻测量方法

GOST 29210-1991半导体器件.分立器件式器件与集成电路.第3部分.信号二极管（包括转换器）及电流与电压控制二极管

GOST 18986.13-1974遂道式半导体二极管.峰值电流、谷值电流、峰值电压、谷值电压、溶液电压测量方法

GOST 19656.7-1974超高频检波半导体二极管.电流灵敏度测量方法

GOST 18986.16-1972半导体整流二极管.直流电压平均值和反向电流平均值的测量方法

GOST 19656.2-1974超高频混频半导体二极管.平均整流电流测量方法

GOST 19656.3-1974超高频混频半导体二极管.中频输出电阻测量方法

GOST 19656.10-1988超高频限幅半导体开关二极管.耗损电阻测定方法

GOST 18986.9-1973半导体二极管.脉冲正向电压和正向恢复时间的测量方法

GOST 19656.1-1974超高频混频和检波半导体二极管.电压驻波系数测量方法

GOST 28625-1990半导体器件.分立器件.第3部分.信号二极管（包括开关二极管）和电流、电压二极管－调节器.第2节.不包括带有温度补偿的精密齐纳二级管在内的稳压管和齐纳二极管的技术条件形式

GOST 29209-1991半导体器件.分立器件式器件与集成电路.第2部分.整流二极管

GOST R IEC 62561-2-2014防雷系统组件 (LPSC). 第2部分. 导体和接地电极的要求

GOST 21107.10-1978气体放电仪.辉光放电二极管与三极管的使用方式和测量方式的电参数测量方法

行业标准-机械，关于四电极电导和二电极电导的标准

JB/T 9368-1999电导电极.通用技术条件

JB/T 5835-2005电力半导体器件用门极组合件

JB/T 5835-1991电力半导体器件用门极组合件

JB/T 6307.4-1992电力半导体模块测试方法.双极型晶体管臂和臂对

JB/T 6307.5-1994电力半导体模块测试方法 双极型晶体管单相桥和三相桥

安徽省标准，关于四电极电导和二电极电导的标准

DB34/T 3239-2018超导回旋加速器 输运线二、四极电磁铁设计准则

ES-AENOR，关于四电极电导和二电极电导的标准

UNE 21 100架空电线，导线铺设的电极

UNE 21-009-1989高架电线．导线铺设的电极

行业标准-环保，关于四电极电导和二电极电导的标准

HJ 802-2016土壤 电导率的测定 电极法

英国标准学会，关于四电极电导和二电极电导的标准

BS IEC 60747-5-8:2019半导体器件 光电器件 发光二极管 发光二极管光电效率的测试方法

BS IEC 60747-5-11:2019半导体器件 光电器件 发光二极管 发光二极管辐射和非辐射电流的测试方法

BS EN ISO 19009:2015小艇. 电力导航灯. 发光二极管灯的性能

BS IEC 60747-5-16:2023半导体器件-光电器件 发光二极管 基于光电流谱的GaN基发光二极管平带电压测试方法

BS G 228:1981航空用 2 A 和 3 A、二极和四极密封电磁继电器的间隙和固定尺寸规范

BS IEC 60747-2:2000分立的半导体器件器件和集成电路.整流二极管

18/30367363 DCBS IEC 60747-5-8 半导体器件 第5-8部分 光电器件 发光二极管 发光二极管光电效率的测试方法

BS IEC 60747-5-15:2022半导体器件-光电器件 发光二极管 基于电反射光谱的平带电压测试方法

18/30388245 DCBS EN IEC 60747-5-11 半导体器件 第5-11部分 光电器件 发光二极管 发光二极管辐射和非辐射电流的测试方法

PD IEC TR 60747-5-12:2021半导体器件 光电器件 发光二极管 LED效率测试方法

BS IEC 60747-7:2001分立半导体器件和集成电路.双极晶体管

BS EN 62561-2:2012防雷保护系统部件(LPSC).导体和接地电极要求

BS EN IEC 62561-2:2018防雷系统组件（LPSC） 对导体和接地电极的要求

19/30392174 DCBS EN 60747-5-6 半导体器件 第5-6部分 光电器件 发光二极管

BS EN 2593-001:2014航空航天系列. 两极和四极双投的10 A电磁插入式继电器站. 技术规格

BS 7027:1990船用电气和电子设备对传导和辐射电磁干扰的抗扰性极限和测量方法规范

BS EN 50164-2:2008避雷组件(LPC).第2部分:对导体和接地电极的要求

BS E9375:1975电子元器件质量评定协调体系规范.空白详细规范:除精密电压温度补偿基准二极管之外的调压二极管和电压基准二极管

BS IEC 60747-5-9:2019半导体器件 光电器件 发光二极管 基于温变电致发光的内量子效率测试方法

BS EN 120001:1993电子元件质量评估协调制度 空白详细规范 发光二极管、发光二极管阵列、无内部逻辑和电阻的发光二极管显示器

21/30440970 DCBS EN IEC 60747-5-16 半导体器件 第 5-16 部分 光电器件 发光二极管 基于光电流谱的平带电压测试方法

20/30422995 DCBS EN IEC 60747-5-15 半导体器件 第5-15部分 光电器件 发光二极管 基于电反射光谱的平带电压测试方法

BS EN 120001:1991电子元器件质量评定协调体系.空白详细规范.发光二极管,发光二极管阵列,无内逻辑部件和电阻的发光二极管显示器

BS IEC 60747-5-10:2019半导体器件 光电器件 发光二极管 基于室温参考点的内量子效率测试方法

22/30454213 DCBS EN IEC 62561-2 防雷系统组件（LPSC） 第2部分：导体和接地电极的要求

21/30435071 DCBS EN IEC 62561-2 防雷系统组件（LPSC） 第2部分：导体和接地电极的要求

BS EN 62374:2008半导体装置 依赖时间的栅极介电薄膜的介质击穿（TDDB）试验

BS EN 62374:2007半导体装置.依赖时间的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验

18/30367367 DCBS IEC 60747-5-62 半导体器件 第5-9部分 光电器件 发光二极管 基于温变电致发光的内量子效率测试方法

BS EN IEC 61189-5-503:2017电气材料、印刷板和其他互连结构和组件的测试方法 材料和组件的通用测试方法 电路板的导电阳极丝 (CAF) 测试

BS EN 62047-14:2012半导体装置.微型电机装置.金属薄膜材料的成形极限测量方法

PD IEC TS 63109:2022光伏(PV)模块和电池 通过电致发光图像定量分析测量二极管理想因子

IPC - Association Connecting Electronics Industries，关于四电极电导和二电极电导的标准

IPC TM-650 2.6.25B-2016导电阳极丝（CAF）电阻测试：XY 轴

IPC TM-650 2.6.25A-2012导电阳极丝（CAF）电阻测试：XY 轴

IPC 9691A CHINESE-2007IPC-TM-650 方法 2.6.25 导电阳极丝（CAF）电阻测试（电化学迁移测试）用户指南

IPC 9691A CD-2007IPC-TM-650 方法 2.6.25 导电阳极丝（CAF）电阻测试（电化学迁移测试）用户指南

IPC 9691A CHINESE CD-2007IPC-TM-650 方法 2.6.25 导电阳极丝（CAF）电阻测试（电化学迁移测试）用户指南

IPC 9691B CHINESE-2016IPC-TM-650 方法 2.6.25 导电阳极丝（CAF）电阻和其他内部电化学迁移测试用户指南

US-FCR，关于四电极电导和二电极电导的标准

FCR 21 CFR PART 898-2015电极导联线和患者电缆的性能标准

FCR 21 CFR PART 898-2014电极导联线和患者电缆的性能标准

FCR 21 CFR PART 898-2013电极导联线和患者电缆的性能标准

美国电子电路和电子互连行业协会，关于四电极电导和二电极电导的标准

IPC TM-650 2.6.25-2003XY轴阳极导电长丝(CAF)电阻测试

IPC 9691-2005导电阳极丝(CAF)电阻测试(电化学迁移测试),方法2.6.25,IPC-TM-650用户指南

工业和信息化部，关于四电极电导和二电极电导的标准

JB/T 13842-2020湿式电除尘器导电玻璃钢阳极

SJ/T 11792-2022锂离子电池电极材料导电性测试方法

JB/T 13370-2018大型空冷隐极同步发电机转子热运转试验导则

国际电工委员会，关于四电极电导和二电极电导的标准

IEC 60747-5-7:2016半导体设备. 第5-7部分: 光电设备. 光电二极管和光电晶体管

IEC TR3 60827:1985家用电器电压波动极限导则说明

IEC 60747-5-11:2019半导体器件第5-11部分:光电子器件发光二极管发光二极管辐射电流和非辐射电流的试验方法

IEC 60747-5-8:2019半导体器件第5-8部分:光电子器件发光二极管发光二极管光电效率试验方法

IEC 60747-3-2:1986半导体器件 分立器件 第3部分:信号二极管(包括开关二极管)及调整二极管 第2节:电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范

IEC 60747-5-6:2016半导体设备. 第5-6部分: 光电设备. 发光二极管

IEC 60747-5-6:2021半导体设备. 第5-6部分: 光电设备. 发光二极管

IEC 60747-5-6:2021 RLV半导体器件第5-6部分:光电子器件发光二极管

IEC 60151-12:1966电子管电性能的测量 第12部分:电极电阻、跨导、放大系数、变频电阻和变频跨导的测量方法

IEC 60747-5-16:2023半导体器件.第5-16部分:光电子器件.发光二极管.基于光电流光谱的GaN基发光二极管的平带电压的试验方法

IEC 60747-2:2000半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管

IEC 60724:1984额定电压不超过0.6/1KV的电缆短路温度极限导则

IEC 60747-5-15:2022半导体器件第5-15部分:光电子器件发光二极管基于电反射光谱法的平带电压试验方法

IEC 60724/AMD1:1993额定电压不超过0.6/1kV的电缆短路温度极限导则.修改件1

IEC 62561-2:2012避雷系统组件(LPSC).第2部分:导线和接地电极的要求

IEC 62561-2:2018避雷系统组件(LPSC).第2部分:导线和接地电极的要求

IEC 62374:2007半导体器件.栅极介电薄膜用时间相关的电介质击穿(TDDB)试验

IEC 60747-2-2:1993半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第1节:电流在100A以上环境和外壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

IEC 60747-2-1:1989半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第1节:电流在100A以下环境和外壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

IEC 61020-4-2:1995电子设备用机电开关 第4部分:杠杆(钮子)开关的分规范 第2节:电气*高交流电压为227V、*高直流电压为30V、*大电流为20A的一极、二极、四极密封杠杆(钮子)开关详细规范

IEC TS 62344:2013高压直流(HVDC)连接用接地电极站的设计.通用导则

IEC TR 60747-5-12:2021半导体器件第5-12部分:光电子器件发光二极管LED效率的试验方法

IEC 60747-12-3:1998半导体器件 第12-3部分:光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范

IEC 60747-7/AMD1:1991半导体分立器件和集成电路.第7部分:双极晶体管.修改件1

IEC 62561-2:2018/COR1:2019勘误表 1 防雷系统组件（LPSC） 第2部分：导体和接地电极的要求

IEC 60747-7-5:2005半导体器件.分立器件.第7-5部分:电源转换用双极晶体管

IEC 60747-5-9:2019半导体器件第5-9部分:光电子器件发光二极管基于温度依赖性电致发光的内部量子效率试验方法

IEC 60747-12-6:1997半导体器件 第12-6部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的雪崩光电二极管空白详细规范

IEC 60747-5-14:2022半导体器件第5-14部分:光电子器件发光二极管基于热反射法的表面温度试验方法

IEC 60747-4-2:2000半导体器件 分立器件 第4-2部分:微波二极管和晶体管 集成电路微波放大器 空白详细规范

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components，关于四电极电导和二电极电导的标准

QC 750101/SU 0004-1990KD805A 型电视接收器开关二极管（Sw）电路指定的电子元件半导体二极管 环境额定值详细规范

QC 750105-1986半导体设备；分立器件第3部分：信号（包括开关）和稳压二极管部分电压调节二极管和电压参考二极管的双空白详细规范 不包括温度补偿精密参考 二极管（IEC

QC 750101/SU 0001-1990KD5I0A 型电子设备脉冲和数字电路用电子元件信号半导体外延平面环境额定二极管详细规范

QC 750101/SU 0003-1990KD522B 型电子设备脉冲和数字电路用电子元件信号半导体外延平面环境额定二极管详细规范

QC 750101/SU 0002-1990KD52IA KD52IB 型电子设备脉冲和数字电路用电子元件信号半导体外延平面环境额定二极管详细规范

QC 300201/ US 0004-1985电子设备用电容器：带固体电解质和带导线端子的多孔阳极的固定钽电容器 Polar Axial Leaded Molded Non-Hermetically Sealed（修正案 1-1986）

国际标准化组织，关于四电极电导和二电极电导的标准

ISO 2883:1980硫化橡胶 工业用抗静电和导电制品 极限电阻值

ISO 2882:1979硫化橡胶 医院用的抗静电和导电制品 极限电阻值

ISO 2315:1974航空器 2A和3A型双极和四极密封电磁继电器 间隙和固定尺寸

ISO 2315:1980航空器 2A和3A型双极和四极密封电磁继电器 间隙和固定尺寸

IEC/CD 80601-2-86.2医用电气设备 第2-86部分：心电图仪基本安全和基本性能的特殊要求，包括诊断设备、监护设备、移动设备、电极、电缆和导联线

国家*用标准-总装备部，关于四电极电导和二电极电导的标准

GJB 33/006-1989半导体分立器件电压调整和电压基准二极管空白详细规范

GJB 33/15-2011半导体光电子器件 BT401型半导体红外发射二极管详细规范

GJB 33/13A-2021半导体分立器件2CK37 型硅大电流开关二极管详细规范

GJB 33A/13-2003半导体分立器件2CK37 型硅大电流开关二极管详细规范

GJB 33A/12-2003半导体分立器件2CK36 型硅大电流开关二极管详细规范

GJB 33/12A-2021半导体分立器件2CK36 型硅大电流开关二极管详细规范

GJB 605-1988导弹核武器用SD01A双极性电池组技术条件

法国标准化协会，关于四电极电导和二电极电导的标准

NF C86-505:1986半导体器件.电子元器件质量评估协调体系.光电二极管、光电二极管排列.空白详细规范 CECC 20 005

NF C96-002:1984电子元件.半导体器件.分立元件和集成电路.第2部分:整流二极管

NF C17-151-2:2002雷电防护元件(LPC).第2部分:导线和接地电极的要求

NF C17-151-2/A1:2006雷电防护部件(LPC).第2部分:导线和接地电极的要求

NF C17-151-2:2008雷电防护部件(LPC).第2部分:导体和接地电极的要求

NF C96-002:2001半导体器件.分立器件和集成电路.第2部分:整流二极管

NF C96-007:1989半导体器件.分立器件和集成电路.第7部分:二极晶体管

NF L58-334-001*NF EN 2593-001:2015航空航天系列 10 A 电磁插入式继电器底座，二极和四极双掷 第001部分：技术规范

NF C86-815:1981电子元器件质量评估协调体系.空白详细规范:电压调整器二极管和电压基准二极管

NF EN 62374:2008半导体器件 - 栅极介电薄膜的时间相关介电击穿测试 (TDDB)

NF C86-506:1986半导体器件.电子元件统一质量评审体系.光导纤维用插脚式光电二极管.空白详细规范 .规范CECC 20 006

NF C17-153-2*NF EN IEC 62561-2:2018防雷系统组件（LPSC） 第2部分：导体和接地电极的要求

NF C96-003:1986半导体器件.分立器件和集成电路.第3部分:信号(包括开关)和整流二极管

NF EN 2593-001:2015航空航天系列 - 10 A 电磁继电器底座，插入式，两极和四极转换 - 第 001 部分：技术规范

NF C93-120-001*NF EN 120001:1992空白详细规范：发光二极管、发光二极管阵列、无内部逻辑和电阻器的发光二极管显示器

NF EN IEC 62561-2:2018防雷系统 (CSPF) 的组成部分 - 第 2 部分：导体和接地电极的要求

NF C86-815/A3:1983电子元件稳压二极管和电压参考二极管法国标准NF C 86-010和NF C 86-815 (CECC 50 000和CECC 50 000)详细规范手册

NF C32-212:1990设备用绝缘电缆和导线 二类照明器具内外连结电缆

NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012半导体器件.微电子机械器件.第10部分:MEMES材料微极压缩测试

NF C96-017*NF EN 62374:2008半导体器件 与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿（TDDB）试验

NF C86-812:1981电子元器件质量评估协调体系.空白详细规范.一般用途的信号和/或转换用半导体二极管

NF C86-812/A3:1981电子元件通用信号和/或半导体二极管开关法国标准NF C 86-010和NF C 86-812范围内的具体规范收集

欧洲标准化委员会，关于四电极电导和二电极电导的标准

HD 383 S2-1986绝缘电缆的导线.圆导线尺寸极限指南

HD 383 S2 A1-1989绝缘电缆的导线.第1次补充:圆导线尺寸极限指南

HD 383 S2 prA2-1992绝缘电缆的导线.第1次补充:圆导线尺寸极限指南(IEC 228-78+IEC 228A-82,修改件)

行业标准-医药，关于四电极电导和二电极电导的标准

YY/T 0492-2004值入式心脏起搏器电极导管

国家食品药品监督管理局，关于四电极电导和二电极电导的标准

YY/T 0492-2017植入式心脏起搏器电极导线

IN-BIS，关于四电极电导和二电极电导的标准

IS 1885 Pt.7/Sec.2-1970电工词汇第 Ⅶ 部分半导体器件 第2节：二极管

IS 4400 Pt.8-1970半导体器件的测量方法第 Ⅷ 部分稳压器和电压参考二极管

IS 3700 Pt.9-1972半导体器件的基本额定值和特性第 IX 部分可变电容二极管

IS 3700 Pt.8-1970半导体器件的基本额定值和特性第 Ⅷ 部分稳压器和电压基准二极管

IS 4400 Pt.9/Sec.1-1974半导体器件测量方法第 IX 部分可变电容二极管 第1节：工作频率低于 300 MHz

IS 4400 Pt.9/Sec.2-1974测量方法 0N 半导体器件第 IX 部分可变电容二极管 第2节：在 6 GHz 以上频率下运行

SE-SIS，关于四电极电导和二电极电导的标准

SIS SS-ISO 2315:1982飞机．两极和四极密封电磁继电器，2A和3A 间隙和安装尺寸

SIS SS CECC 50013-1984空白详细规范．电流调节器和电流参考二极管

SIS SS-CECC 20001-1991空白详细规范．发光二极管、发光二极管阵列、无内部逻辑和电阻的发光二极管显示器

SIS SS CECC 32200-1988分规范．带金属电极和直流用聚对苯二甲酸乙二酯电介质的片状固定电容器

SIS SS CECC 32201-1988空白详细规范．带金属电极和直流用聚对苯二甲酸乙二酯电介质的片状固定电容器

上海市标准，关于四电极电导和二电极电导的标准

DB31/ 514-1992硫化橡胶--麻醉机用抗静电和导电橡胶产品--电阻极限值

行业标准-电力，关于四电极电导和二电极电导的标准

DL/T 2158-2020接地极线路带电作业技术导则

DL/T 1844-2018湿式静电除尘器用导电玻璃钢阳极检验规范

DL/T 1163-2012隐极发电机在线监测装置配置导则

DL/T 1566-2016直流输电线路及接地极线路参数测试导则

DL/T 1525-2016隐极同步发电机转子匝间短路故障诊断导则

DL/T 474.1-2006现场绝缘试验实施导则.绝缘电阻、吸收比和极化指数试验

DL/T 474.1-2018现场绝缘试验实施导则 绝缘电阻、吸收比和极化指数试验

DL 474.1-1992现场绝缘试验实施导则 绝缘电阻、吸收比和极化指数试验

机械电子工业部，关于四电极电导和二电极电导的标准

JB 5835-1991电力半导体器件用门极组合件

台湾地方标准，关于四电极电导和二电极电导的标准

CNS 7011-1981多极半导体装置的电极编号与多元半导体装置的组件命名

CNS 5540-1988单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–电压可变电容量二极管高温逆向偏压试验

CNS 6121-1988单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–整流二极管连续通电试验

CNS 6125-1988单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–整流二极管之高温通电试验

CNS 6123-1988单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–整流二极管之断续通电试验

YU-JUS，关于四电极电导和二电极电导的标准

JUS N.R1.112-1977电子管．电气特性测量．电极阻抗、跨导、放大因数、变阻和变频跨导的测量方法

TH-TISI，关于四电极电导和二电极电导的标准

TIS 1670-2009半导体器件.分立器件和集成电路.第2部分:整流二极管

TIS 1971-2000半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和稳压二极管部分稳压二极管和电压参考二极管的双空白详细规范，不包括温度补偿精密参考二极管

TIS 1596-1999半导体器件.分立器件.第2部分:整流二极管.第2节:电流在100A以上环境和外壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

印度尼西亚标准，关于四电极电导和二电极电导的标准

SNI IEC 60747-2:2009半导体器件. 分立器件和集成电路. 第2部分:整流二极管

韩国科技标准局，关于四电极电导和二电极电导的标准

KS C IEC 60747-2:2006半导体器件.分立器件和集成电路.第2部分:整流二极管

KS C IEC 60747-2-2006(2016)半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管

KS W ISO 2315:2003航空器.2A和3A型双极和四极密封电磁继电器.间隙和固定尺寸

KS W ISO 2315:2014航空器 2A和3A型双极和四极密封电磁继电器 间隙和固定尺寸

KS C IEC 60747-3-2:2006半导体器件.分立器件.第3部分:信号二极管(包括开关二极管)和调节二极管.第2节:稳压二极管和基准电压二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)的空白详细规范

KS C 5205-2002可靠性有保证的稳压二极管和电压参考二极管

KS C IEC 60747-3-2-2006(2021)半导体器件分立器件第3部分:信号（包括开关）和稳压二极管第2节:调压二极管和基准电压二极管空白详细规范不包括温度补偿精密基准二极管

KS C IEC 60747-3-2-2006(2016)半导体器件分立器件第3部分:信号（包括开关）和稳压二极管第2节:调压二极管和电压基准二极管空白详细规范 不包括温度补偿精密基准二极管

KS C IEC 62561-2-2014(2019)防雷系统组件（lpsc） - 第2部分:导体和接地电极的要求

KS C IEC 60747-2-2-2006(2021)半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第2节:额定环境和外壳电流大于100A的整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

KS C IEC 60747-2-2-2006(2016)半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第2节:额定环境和外壳电流大于100A的整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

KS C IEC 60747-2-2:2006半导体器件.分立器件.第2部分:整流二极管.第1节:电流在100A以上具有规定环境和外壳的整流二极管(包括雪崩式整流二极管)的空白详细规范

KS C IEC 60747-2-1:2006半导体器件.分立器件.第2部分:整流二极管.第1节:电流在100A以下具有规定环境和外壳的整流二极管(包括雪崩式整流二极管)的空白详细规范

KS C ISO 8205-1-2016(2021)电阻焊水冷二次连接电缆第1部分:双导体连接电缆的尺寸和要求

KS M 1077-2008锂二次电池用正极活性材料中铅和镉的定量方法

KS C IEC 60747-4-2-2002(2022)半导体器件分立器件第4－2部分:微波二极管和晶体管集成电路微波放大器空白详细规范

KS C IEC 60747-4-2-2002(2017)半导体器件分立器件第4－2部分:微波二极管和晶体管集成电路微波放大器空白详细规范

德国标准化学会，关于四电极电导和二电极电导的标准

DIN IEC 60747-2:2001半导体器件.分立器件和集成电路.第2部分:整流二极管

DIN IEC 60747-2:2001-02半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管

DIN EN 2593-001:2015航空航天系列 10 A 电磁插入式继电器底座，二极和四极双掷 第001部分：技术规范

DIN EN 2593-001:2015-03航空航天系列 10 A 电磁插入式继电器底座 二极和四极双掷 第001部分：技术规格

DIN EN 62374:2008-02半导体器件-栅极介电薄膜的时间相关介电击穿（TDDB）测试

DIN 15563-4:1993电影和电视播映室用连接电缆和开关装置的专用插座.保护导线用单极专用插座

DIN 15564-4:1993电影和电视播映室用连接电缆和开关装置的专用插头.保护导线的单极专用插头

DIN EN 120001:1993-06空白详细规范：发光二极管、发光二极管阵列、不带内部逻辑和电阻的发光二极管显示器

DIN EN 120001:1993空白详细规范.发光二极管、发光二极管阵列和没有内逻辑部件和电阻的发光二极管显示器

DIN 46284:1972-11两极和三极插座端子排（电器端子）380 V ac 和 440 V dc，适用于*大 2.5 mm (hoch)2 的导线

DIN EN ISO 8205-2:2003电阻焊水冷二次连接电缆.第2部分:单导体连接电缆尺寸和要求

DIN EN 62374:2008半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验

TR-TSE，关于四电极电导和二电极电导的标准

TS 2452-1976电子管和电子阀电气性能的测试．第12部分：电极电阻、跨导、放大因数、音频电阻和变频跨导的测试方法

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于四电极电导和二电极电导的标准

GB/T 36358-2018半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范

ES-UNE，关于四电极电导和二电极电导的标准

UNE-EN 2593-001:2014航空航天系列 10 A 电磁插入式继电器底座 二极和四极双掷 第001部分：技术规范

UNE-EN 120001:1992BDS：发光二极管、发光二极管阵列、没有内部逻辑和电阻的发光二极管显示器

UNE-EN IEC 62561-2:2018防雷系统组件(LPSC)第2部分：导体和接地电极的要求

UNE-EN IEC 62561-2:2018/AC:2019-09防雷系统组件(LPSC)第2部分：导体和接地电极的要求

丹麦标准化协会，关于四电极电导和二电极电导的标准

DS/IEC 747-3-2:1987半导体器件.分立器件.第3部分:信号二极管(包括开关二极管和稳压二极管).第2节:稳压二极管和基准电压二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)的空白详细规范

DS/EN 62561-2:2012防雷系统组件（LPSC） 第2部分：导体和接地电极的要求

DS/IEC 747-3+Amd.1:1993半导体器件 分立器件和集成电路 第3部分：信号（包括开关）和稳压二极管

DS/IEC 747-3:1993半导体装置．分立器件和集成电路．第3部分：信号（含开关转换）和调节二极管

DS/IEC 747-2-1:1990半导体器件.分立器件.第2部分:整流二极管.第1节:电流在100A以下具有规定环境和外壳的整流二极管(包括雪崩式整流二极管)的空白详细规范

DS/IEC 747-4:1992国际电工委员会IEC标准No．747-4-1991 半导体装置．分立器件．第4部分：微波二极管和晶体管

中国团体标准，关于四电极电导和二电极电导的标准

T/CSEE 0207-2021±800 kV 高压直流输电系统单极故障 引发接地极线路过电压计算导则

T/CSEE 0039-2017隐极式同步发电机启动试验导则 Start-up

T/CSEE 0041-2017隐极同步发电机转子重复脉冲（RSO）试验导则

T/CSTM 01024-2023导电阳极丝热成像辅助定位失效分析方法

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization，关于四电极电导和二电极电导的标准

HD 383 S2/A2-1993绝缘电缆导体第一增补：圆形导体尺寸极限指南

EN 50164-2:2008防雷元件（LPC） 第2部分：导体和接地电极的要求

EN 50164-2:2002防雷元件（LPC）第2部分：导体和接地电极的要求

EN 62561-2:2012防雷系统组件（LPSC） 第2部分：导体和接地电极的要求（保持电流）

EN 150013:1991空白详细规范：电流调节器和电流参考二极管

CO-ICONTEC，关于四电极电导和二电极电导的标准

ICONTEC 2975-1991电子类．通过圆盘电极在绝缘体液体中测量非导电破碎的电压

ICONTEC 1332-1981电子类．被热塑性材料PVC绝缘的单极导体，特殊类型

CH-SNV，关于四电极电导和二电极电导的标准

VSM 18656-1964电子耳和模拟半导体组件极限值系统规则

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于四电极电导和二电极电导的标准

IEEE 1893-2015直流输电线路和接地极线路参数测量导则

行业标准-地质，关于四电极电导和二电极电导的标准

DZ/T 0064.6-2021地下水质分析方法 第6部分：电导率的测定 电极法

欧洲航空航天和国防工业标准化协会，关于四电极电导和二电极电导的标准

ASD-STAN PREN 2593-001-2010航空航天系列 10 A 电磁插入式继电器底座，二极和四极双掷第001部分：技术规范（P 1 版）

ASD-STAN - Aerospace and Defence Industries Association of Europe - Standardization，关于四电极电导和二电极电导的标准

PREN 2593-001-2010航空航天系列 10 A 电磁插入式继电器底座二极和四极双掷第001部分：技术规范（P 1 版）

美国材料与试验协会，关于四电极电导和二电极电导的标准

ASTM F9-69电子管中用作栅极侧杆的圆导线规范

ASTM G100-89(1999)传导循环恒电流器极化的标准试验方法

ASTM G100-89(2021)传导循环恒电流器极化的标准试验方法

ASTM C1011-83核燃料循环用无电极电导仪的选择或规范的标准指南（1996年撤销）

美国国家标准学会，关于四电极电导和二电极电导的标准

ANSI/TIA/EIA 455-201-2001极化固定纤维或极化纤维软导线装置和电缆组件的回程损耗

行业标准-航天，关于四电极电导和二电极电导的标准

QJ 10007/2-2008宇航用半导体分立器件 2CWD8V4型硅电压基准二极管详细规范

ECIA - Electronic Components Industry Association，关于四电极电导和二电极电导的标准

535AAAB-1987具有固体电解质和带导线端子的多孔阳极的固定钽电容器

580A000-1992电子设备用带金属化电极和聚对苯二甲酸乙二醇酯电介质的固定片式电容器分规范

535AAAE-1987带固体电解质和带导线端子的多孔阳极的固定钽电容器 矩形 超小型 非气密密封 塑料封装 极化绝缘 轴向引线

PL-PKN，关于四电极电导和二电极电导的标准

PN T01010 ArkusZ05-1974电子管．真空二极管．术语和定义

PN T04801-1966低功率电子管．栅极控制管的互导测量方法

PN T01202-1989半导体器件．分离器件和集成电路．整流二极管[出版物的译本1EC 747-2 （1983）]

PN T01505-13-1987场效应晶体管．测量方法．在共源极高斯中的短路输出导纳 yy22s和短路输出电导

PN T04812-1971水平偏转电路中二极管增压器和线输出管的电气强度测试

PN T01504-60-1987二极管．测量方法．即时和峰值恢复电压．前恢复时间

河北省标准，关于四电极电导和二电极电导的标准

DB13/T 5026.3-2019石墨烯导电浆料物理性质的测定方法 第3部分：浆料极片电阻率的测定 四探针法

广东省标准，关于四电极电导和二电极电导的标准

DB44/T 1456-2014丙烯酸和聚丁二烯阳极电泳涂料

欧洲电工标准化委员会，关于四电极电导和二电极电导的标准

EN IEC 62561-2:2018防雷系统组件（LPSC） 第2部分：导体和接地电极的要求

EN 62374:2007半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验

AENOR，关于四电极电导和二电极电导的标准

UNE-EN 62561-2:2012防雷系统组件（LPSC） 第2部分：导体和接地电极的要求

GOSTR，关于四电极电导和二电极电导的标准

GOST R IEC 62561.2-2014防雷系统组件 (LPSC) 第2部分：导体和接地电极的要求

未注明发布机构，关于四电极电导和二电极电导的标准

BS EN IEC 62561-2:2018(2019)防雷系统组件 (LPSC) 第2部分：导体和接地电极的要求

BS EN 150001:1993(1999)电子元件质量评估协调制度规范 — 空白详细规范 — 通用半导体二极管

BS EN 150013:1993(1999)电子元件质量评估协调制度规范 — 空白详细规范 — 电流调节器和电流基准二极管

立陶宛标准局，关于四电极电导和二电极电导的标准

LST

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