标准简介：本标准规定了微结构加工时,光刻版图设计中图形设计应遵循的基本规则。本标准适用于采用接触式单/双面光刻、氧化扩散、化学气相淀积(CVD)、物理气相淀积(PVD)、离子注入、反应离子刻蚀(RIE)、氢氧化钾(KOH)腐蚀、硅-玻璃对准静电结合、砂轮划片等基本工艺方法。

标准号：GB/T 28274-2012

标准名称：硅基MEMS制造技术 版图设计基本规则

英文名称：Silicon-based MEMS fabrication technology—The basic regulation of layout design

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2012-05-11

实施日期：2012-12-01

中国标准分类号（CCS）：电子元器件与信息技术>>微电路>>L55微电路综合

国际标准分类号（ICS）：电子学>>31.200集成电路、微电子学

起草单位：北京大学、中机生产力促进中心、中国电子科技集团第十三研究所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、西北工业大学

归口单位：全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)

发布单位：国家质量监督检验检疫.

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