标准编号：GB/T 1558-2009硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法

标准状态：现行

标准简介：本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。本标准适用于电阻率高于3Ω·cm 的p型硅片及电阻率高于1Ω·cm 的n型硅片中代位碳原子含量的测定,对于精密度要求不高的硅片,可以测量电阻率大于0.1Ω·cm 的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于间隙位置,因而本方法不能测定总碳含量。本标准也适用于硅多晶中代位碳原子含量的测定,但其晶粒界间区的碳同样不能测定。

英文名称： Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption

替代情况： 替代GB/T 1558-1997

中标分类： 冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

ICS分类： 电气工程>>29.045半导体材料

采标情况： MOD SEMI MF 1391-0704

发布部门： 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会

发布日期： 2009-10-30

实施日期： 2010-06-01

首发日期： 1979-05-26

提出单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

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