标准编号：GB/T 4058-2009硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

标准状态：现行

标准简介：本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。

英文名称： Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers

替代情况： 替代GB/T 4058-1995

中标分类： 冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

ICS分类： 电气工程>>29.045半导体材料

发布部门： 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会

发布日期： 2009-10-30

实施日期： 2010-06-01

首发日期： 1983-12-20

提出单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

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