标准简介：本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。

标准号：GB/T 4058-1995

标准名称：硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

英文名称：Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：作废

发布日期：1995-04-18

实施日期：1995-01-02

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H26金属无损检验方法

国际标准分类号（ICS）：冶金>>金属材料试验>>77.040.30金属材料化学分析

替代以下标准：替代GB 4058-1983;GB 6622-1986;GB 6623-1986;被GB/T 4058-2009代替

起草单位：峨嵋半导体材料厂

归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会

发布单位：国家技术监督局

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